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郭常霖;
中国科学院上海硅酸盐研究所;
机译:拉法生长YBa_2Cu_3O_(6 + x)单晶的过程及机理
机译:通过SiGe混合诱导熔化法形成单晶GOI(GE在绝缘体上的GE上的种子衬底表面取向和生长方向依赖性
机译:提拉法生长单晶硅的生长速度限制
机译:溪鳟鱼中的生长激素,Salvelinus fontinalis:开发一种非同源放射免疫分析法,以追踪其在代偿性生长中的作用
机译:AsxS100-x纳米层中相干光的光修饰质量传输效应和表面浮雕形成:吸收边缘XPS和拉曼光谱结合轮廓分析法
机译:C_(60)单晶的“提拉”汽相法生长
机译:碳纳米管单晶铜表面金刚石成核与生长机理
机译:硅单晶硅提拉法的硅熔体表面高度位置的计算方法及硅单晶硅提拉法的装置
机译:计算硅熔体的表面的高度位置的方法,生长硅单晶的方法和硅单晶提拉装置
机译:通过施加磁场的切克劳斯基法提拉硅单晶包括增大和减小颈部直径以使颈部生长,以及将颈部直径变化率控制在预定范围内
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