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提拉法生长单晶表面生长棱的形成机理和极图分析法

         

摘要

本文提出了提拉法生长单晶表面生长棱的形成机理。晶体生长的各向异性使晶体在周围环境均匀的生长条件下,有一定的结晶习性,呈现一定的显露面。提拉法生长单晶的表面生长棱就是一定生长条件下,主要显露面扩展的结果。给出了不同生长部位形成棱的结晶学条件。提出了用极射赤平投影作图推导在不同生长取向下,生长棱的分布和方位的方法。对SBN、BNN、BG、Si、LN、LT等晶体的成棱情况用本文方法作了分析,并与实际晶体的生长棱作了对比,证明本文方法是普遍适用的。

著录项

  • 来源
    《硅酸盐学报》 |1980年第4期|325-338|共14页
  • 作者

    郭常霖;

  • 作者单位

    中国科学院上海硅酸盐研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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