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万维强申自勇柏亚军侯士敏赵兴钰刘惟敏薛增泉;
北京大学电子学系;
北京大学电子学系 北京100871;
北京100871;
Si(337); 高指数面; 扫描隧道显微镜;
机译:Si(100)-c(4x4)表面在100和300 K时的HREELS,STM和LEED研究:Si-C表面二聚体的形成
机译:Si(111)-(5×2)-Au表面的Si原子密度:STM研究
机译:用STM检测和定位表面动力学:Sn / Ge(111)和Sn / Si(111)α相表面的研究
机译:STM和STS研究在Si(LLL)上吸附在Si(LLL) - (7 * 7)表面上的胚乳金属卟啉
机译:Si(100)的光学二次谐波产生对过程定制表面和嵌入Ag纳米结构的研究,用于先进的Si非线性纳米运动
机译:在特高压MBE腔室中制备的Si(001)清洁表面上的相变:通过高分辨率STM和原位RHEED进行的研究
机译:通过扫描隧穿显微镜研究的Si表面上的固相外延。用STM观察Si(111)表面Si(111)表面的吸附过程及单个原子/分子的操纵。
机译:原子吸附在si(100)2x1表面上的FI-sTm研究
机译:用于氧化锆表面处理的Si A Si-取代的羟基磷灰石溶胶的制备方法及其使用该Si-取代的羟基磷灰石溶胶的表面处理方法
机译:在Si晶片上形成Ni和Ni合金膜的方法,在Si晶片上形成Ni和Ni合金膜的方法,在形成Ni时Si晶片的表面的表面粗糙化处理液和镍合金膜,转化处理方法
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