用扫描俄歇微探针研究Au-Ag/Si体系异质界面电迁移

摘要

应用自建的超高真空原位装置及扫描俄歇微探针（SAM）技术，研究了AU－Ag／Si体系的表面电迁移现象。观测到清洁St表面上的Au／Ag／Si和Ag／Au／Si复层薄膜在直流电场作用下呈现明显的两相分离，Au，Ag分别向着外加电场的正极和负极方向快速迁移扩展，总的迁移速率对Au／Ag／Si约为0．63μm／s而对Ag／An／Si为0．37μm／s。实验结果表明，复合膜的结构，即其形成次序虽不影响An，Ag各自原有的电迁移方向，但影响其迁移扩散机制。并对上述现象及其相应的微观机制进行了初步分析。