半导体材料的晶体生长——第五届国际气相生长和外延会议/第五届美国晶体生长会议介绍—

摘要

＜正＞1981年7月在美国加利福尼亚州圣地亚哥召开了第五届国际气相生长和外延会议/第五届美国晶体生长会议（ICVGE—5/ACCG—5）.参加会议的代表来自近20个国家,共400多人.会议上宣读的论文有200多篇,我国被接受宣读的论文有5篇,其中一篇为特约报告.会议论文可归纳为七个方面:1.晶体生长理论,2.熔体和溶液生长,3.气相外延,4.分子束外延,5.波相外延,6.特性和测试,7.新工艺和新材料.