三元合金In0.53Ga0.47As迁移率的研究

摘要

＜正＞ 本文对在（100）InP衬底上生长的晶格匹配的三元合金In0.53Ga0.47As的电子迁移率进行了研究,从理论上分析了影响电子迁移率的主要散射机构:极化光学声子散射,电离杂质散射,合金散射。并得出了有关结论。 半导体材料在低场下,平均漂移速度的大小与电场强度成正比,vd=uε,迁移率的大小与温度、载流子浓度、材料的类别等有关,微观上则与各种散射因素相关,本文讨论的是在一定的温度区间（77～300K）、一定的杂质浓度(n～1016cm-3)下,三元合金In0.53Ga0.47As的电子迁移率与几种主要的散射机构之间的关系。