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陈硕颀; 林金庭; 程思琪; 王世林;
南京电子器件研究所;
机译:具有31.5 dBm输出功率和64%功率附加效率的2.9 V工作GaAs功率MESFET
机译:具有非对称LDD结构的低失真,高输出功率脉冲掺杂GaAs MESFET
机译:输出低阻抗端接对GaAs HBT功率放大器线性度的影响
机译:研究光子晶体中的杂质模式和研究功率GaAs MESFET。
机译:改进的DRUS 4H-SiC MESFET具有高功率附加效率
机译:低功率和高功率GaAs MESFET器件的热模型
机译:Gaas功率mEsFET对轮廓和工艺参数变化的性能灵敏度。 (重新公布新的可用性信息)。
机译:Gaas Mesfet---具有推挽输出缓冲电路的逻辑电路-
机译:具有mesfet推挽功能的gaas逻辑电路-输出缓冲电路。
机译:GaAs MESFET逻辑电路,包括推挽输出缓冲器
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