Ge-SiO_2薄膜的光致发光及其机制

董业民; 陈静; 汤乃云; 叶春暖; 吴雪梅; 诸葛兰剑; 姚伟国

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Ge-SiO_2薄膜的光致发光及其机制

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采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜. 薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理. 根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸. 经600～1000℃退火, Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9 nm增至6.1 nm. 在紫外光的激发下, 所有样品都发出很强的394 nm的紫光. 随着Ge纳米晶粒的出现, 样品有580 nm的黄光发出, 其强度随着晶粒的增大而增强. 对于经不同温度退火的样品, 这两个波段的峰位都保持不变. 根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论.

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来源
《科学通报》 |2001年第6期|525-528|共4页
作者
董业民; 陈静; 汤乃云; 叶春暖; 吴雪梅; 诸葛兰剑; 姚伟国;
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作者单位

苏州大学物理系;

苏州215006;

中国科学院上海冶金研究所;

上海200050;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类特种结构材料;
关键词
射频磁控溅射; 光致发光; 发光机制; 锗-二氧化硅薄膜; 退火处理; 纳米晶粒;

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