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黄懋容; 王蕴玉; 杨巨华; 何永枢; 郭应焕; 刘彩池;
中国科学院高能物理研究所;
北京100080;
河北工学院半导体研究实验室;
天津300130;
中子辐照; 正电子湮没; 硅; 半导体; 缺陷;
机译:通过正电子湮没光谱研究的电子/中子辐照钨处空位簇的氘俘获
机译:正电子湮没光谱检查中子辐照的3C-SiC中空位缺陷的研究
机译:在Al-Mg-Si合金的50和100摄氏度时老化时的空位行为,通过正电子湮没光谱学研究过量的Si
机译:通过正电子湮没方法检查中子辐照钨的中子辐照钨的重氢捕获
机译:用正电子光谱研究中子辐照的模型合金和压力容器钢。
机译:通过正电子湮没寿命光谱和椭圆仪孔隙测定研究的开放孔隙率和孔径分布的介孔二氧化硅膜
机译:正电子湮没光谱的研制研究中子辐照钨中的氘装饰空隙
机译:中子辐照压力容器钢的正电子湮没研究
机译:同时重现研究反应堆中子辐照度特定值和伽马射线辐照剂量的方法
机译:研究反应器同时产生给定中子流和伽马射线辐照剂量的方法
机译:研究人员同时重现中子流目标值和伽马射线辐照剂量的方法
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