平面型InP/InGaAs雪崩光电二极管多级台阶结构研究

摘要

平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有更高的电场,易导致结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对多级台阶结构的平面型InP/InGaAs APD的电场分布进行了二维有限元模拟,在表面电荷密度为5×1011cm-2时分析了台阶级数、台阶高度等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度。通过理论研究对平面InP/InGaAs APD进行了优化。