高稳定性高瞬态响应无片外电容LDO的设计

摘要

基于Nuvoton 0.5μm 5 V标准CMOS工艺,设计了一种高稳定性、高瞬态响应、无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。电路中引入了过冲、欠冲电压改善模块,用来削减过/欠充电压,互不干扰。过冲电压改善电路将LDO输出电压与参考电压进行比较,过冲状态下开启从LDO输出端到地的快速放电通路,欠冲电压改善电路通过电容耦合获得反映LDO输出电压瞬态变化的采样信号,经反向放大后加速功率管栅极电容放电,进而通过功率管对LDO输出电容充电。仿真结果表明,在TT工艺角下该低压差线性稳压器的空载相位裕度为64.57°,满载相位裕度为62.58°,过冲电压为40 m V,欠冲电压为97.6 m V,线性调整率为0.733‰;负载调整率19μV/m A;电源电压抑制比(PSRR)为-73 d B。