大功率单隧道结半导体激光器的研制

摘要

针对大功率隧道结半导体激光器因光学灾变损伤(COD)而导致输出光功率无法进一步提高的问题,通过优化器件材料结构,提高了其COD阈值。采用标准的半导体激光器制作工艺,制作了发光区条宽为200μm、腔长为900μm的单隧道结半导体激光器。在脉冲宽度为200ns、重复频率为5kHz的室温下进行测试,器件峰值功率超过70W,并且无明显COD现象发生。在20A工作电流下,器件峰值波长为907nm,光谱宽度为7nm,斜率效率为1.88,接近相同工作电流下单有源层激光器的两倍。