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杨杰;
东莞理工大学电子工程学院;
广东东莞523808;
应变超晶格; 沟道效应; 混合激励; 混沌;
机译:双轴应变对应变工程GeTe-Sb_2Te_3超晶格界面混合和局部结构的影响
机译:折叠石墨烯超晶格中的临界应变诱导的光响应
机译:GaN(0001)衬底上GaN / AlN超晶格中的应变弛豫:结合的超晶格到衬底晶格失配和厚度依赖效应
机译:Cdse-Znse多量子阱和应变层超晶格结构的电子束激励和分析
机译:晶格树收敛到临界尺寸以上的超布朗运动。
机译:高性能氧化物薄膜晶体管的人工半导体/绝缘体超晶格沟道结构
机译:无近应变的GaN / AlGaN窄线宽UV光发光通过使用超晶格来激励功率的非常稳定的波长
机译:Gaas / sub X / p / sub 1-X // Gap应变层超晶格的离子沟道分析
机译:透射电镜观察应变超晶格超晶格截面结构的方法
机译:用于辐射产生或辐射检测的光电子半导体芯片具有超晶格,该超晶格是由在有源层或边界层中形成的混合晶体成分的薄层的周期性序列制成的
机译:具有晶格失配区的应变沟道晶体管结构及其制造方法
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