机译:无近应变的GaN / AlGaN窄线宽UV光发光通过使用超晶格来激励功率的非常稳定的波长
机译:来自均匀GaN / AlGaN量子阱的窄紫外发射
机译:超晶格周期依赖于低于间隙激发光的UV-B区域的N-AlGaN层中的非相互作用的重组中心
机译:具有InGaN / AlGaN超晶格应变消除层和AlGaN势垒的GaN基近紫外LED的性能改进
机译:利用应变松弛超晶格的窄而稳定的GaN / AlGaN紫外光源
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:使用GaN / AlGaN多量子阱有源层演示在紫外线范围内的电子束激光激发
机译:AlGaN中间层对GaN / Ingan / GaN / AlGa多量子孔结构性能对红发射的影响
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管