二硫化钼-硅异质结太阳电池的原位制备及器件模拟

摘要

二维材料与晶体硅形成的异质结太阳电池是当前太阳电池研究热点之一,大多数研究都集中在石墨烯和硅形成的肖特基结太阳电池。为改善器件的能带结构,本研究采用具有一定禁带宽度的n-Mo S2二维半导体材料与p-Si形成异质结太阳电池。通过实验研究了退火时间对Mo S2材料合成的影响,并对Mo S2-Si异质结的暗电流和光电流曲线进行测量和分析。通过异质结模拟软件wx-AMPS对Mo S2-Si异质结结构进行效率计算和能带分析,探讨了薄膜厚度和载流子浓度对器件开路电压的影响。