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吕文辉; 张帅;
湛江师范学院物理系,广东湛江524048;
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027;
湛江师范学院科技处,广东湛江524048;
硅纳米线阵列; 金属援助硅化学刻蚀; 形貌控制;
机译:通过可控的金属辅助化学刻蚀制备具有超高纵横比的双面晶圆级硅纳米线阵列
机译:通过两步银催化化学刻蚀制备的硅纳米线阵列的可控生长
机译:通过金属辅助化学刻蚀可控制的硅纳米线阵列中的光诱导圆锥结构
机译:金属辅助化学刻蚀制备的硅纳米线阵列的光学性能
机译:金属双层/氧化物/硅,高k氧化物/硅以及垂直硅纳米线的“端对端”金属触点的弹道电子发射显微镜和内部光发射研究。
机译:氟化铵金属辅助化学刻蚀制备硅纳米线阵列的结构和光学性质
机译:化学银催化刻蚀硅纳米线阵列的制备及光学性能
机译:纳米制备具有垂直硅纳米线限流器和自对准门的硅场发射器阵列。
机译:金属辅助化学刻蚀,可制造高纵横比和直形硅纳米柱阵列以进行排序
机译:金属辅助化学刻蚀,可制造高深宽比的直硅纳米柱阵列,用于分选应用
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