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冯一军; 程其恒; 吴培亨; 刘涵默; 阎少林; 方兰; 曹慧丽;
南京大学信息物理系;
南京210008;
南京大学现代分析中心;
南开大学电子科学系;
天津300071;
铊系; 薄膜; 临界电流密度; 超导体;
机译:通过冷却在不均匀磁场中通过冷却增强Nb超导薄膜中的有效临界电流密度
机译:弱外部磁场中YBSO薄膜中超导临界电流密度的温度依赖性
机译:弱外部磁场中YBCO薄膜中超导临界电流密度的温度依赖性特征
机译:磁刀法的YBCO超导线和薄膜临界电流密度分布测量误差
机译:通过CVD硼薄膜的异位退火生长的超导二硼化镁薄膜中的临界电流密度的研究。
机译:Ba1-xKxFe2As2超导体中临界温度和临界电流密度的不同掺杂依赖性
机译:铊系超导薄膜圆环图形中临界电流密度的空间分布
机译:提高铊基(Tl,Bi)sr(1.6)Ba(0.4)Ca2Cu3O(x)超导体的临界电流密度
机译:用感应线圈估算氧化物超导体的临界电流密度和临界电流密度分布的方法。
机译:增加高温超导体的临界电流密度涉及缓慢冷却超导体材料,以通过对准魏斯区来实现更高的临界电流密度。
机译:高温超导体装置的超导体具有薄弱点,沿着电流流动方向分布的临界电流密度降低
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