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杨小飞; 方亮; 彭丽萍; 黄秋柳; 周科; 孔春阳;
重庆大学应用物理系,重庆400030;
重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆400030;
重庆师范大学物理系,重庆400046;
铟掺杂氧化锌薄膜; 磁控溅射; 光电性能; 透明导电膜;
机译:衬底温度对直流磁控溅射制备ZnO和Al掺杂ZnO薄膜的结构和光学性能的影响
机译:衬底温度和Zn添加量对磁控溅射制备Al掺杂ZnO薄膜性能的影响
机译:衬底温度和氧气/氩气流量比对射频磁控溅射制备的掺杂Ga的ZnO薄膜的电和光学性能的影响
机译:溅射气压和衬底温度对射频磁控溅射制备ZnO:Al薄膜光学性能的影响
机译:退火温度对Sol-Gel ZnO薄膜力学性能的影响。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:直流反应磁控溅射在不同衬底温度下制备钒掺杂ZnO薄膜的研究
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响
机译:制备部分或完全半绝缘或P型掺杂的ZnO衬底的方法,获得的衬底以及包括它们的电子,光电或光电子器件
机译:用于光电探测器的Al ZnO UV衬底,包括Al和ZnO和ZnO的异质结构和包括相同的UV光电探测器
机译:用于制备部分或完全半绝缘或P掺杂的ZnO衬底的方法,所获得的衬底以及包括该衬底的电子,电光或光电器件。
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