2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片

摘要

在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端减少为6个,晶体管—晶体管逻辑电路(TTL)电平控制,并行输入控制信号。电路测试结果为:插入损耗≤4.5 dB,开关时间≤15 ns,输入输出驻波比≤1.4∶1,均方根衰减误差(全态)≤0.7 dB,静态功耗为2.0 mA@-5 V,芯片尺寸为2.6 mm×1.6 mm×0.1 mm。在GaAs PHEMT衬底上实现了数字驱动和数控衰减等功能的集成,控制电平兼容应用系统电平,应用更简单,可靠性更高。