局域图形上的碳纳米管可控生长及转移

摘要

射频通信领域中,开关触点材料对射频微电子机械系统（RF MEMS）开关的性能影响很大。在图形化的二氧化硅（Si O2）基底上采用热化学气相沉积（TCVD）法通过＂分段＂方法生长出了长度为1~20μm可控的垂直均匀的优质碳纳米管（CNT）微阵列,并结合MEMS工艺将CNT/Au复合触点转移到了玻璃基底上。转移前在面积分别为30~120μm2碳管阵列顶端镀金,测量出CNT/Au电极阻值分布在0.429~0.612Ω,与相同面积Au电极（0.421Ω）导电性能相差不大。因此,CNT/Au是一种潜在优良的MEMS开关触点材料。