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史强; 要志宏; 蒙燕强; 曹欢欢;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050051;
L波段; GaN高电子迁移率晶体管(HEMT); 场板结构; 结温; 预匹配;
机译:效率超过50%C波段340W,X波段100W类GaN高功率放大器
机译:C-Ku波段GaN HEMT 3x波段高效大功率放大器
机译:效率超过50%C波段340W,X波段100W级GaN大功率放大器
机译:通过微带径向短截线的15W混合GaN功率放大器,用于X波段雷达应用的4W GaN MMIC
机译:复合可重新配置的双频带固态功率放大器使用单个GaN HEMT进行S和X波段操作
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:八度带宽S-和C波段GAN-HEMT功率放大器,用于将来5G通信
机译:Ku和K波段GaN高功率放大器mmIC。
机译:功率放大器的控制方法,装置,GAN功率放大器和GAAS功率放大器
机译:具有GAN-ON-SI和GAN-ON-SIC电路的混合功率放大器
机译:GaN GaN半导体封装,用于包含可伐环的高功率放大器
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