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张现平; 马衍伟; 高召顺; 王栋梁; 禹争光; Watanabe Kazuo; 郭建栋;
中国科学院电工研究所应用超导实验室;
北京100080;
日本东北大学材料研究所;
北京大学物理学院;
北京100871;
MgB2带材; SiC掺杂; 临界电流性能; 机理;
机译:重掺杂纳米SiC的MgB2 / Fe带的超导性能
机译:纳米SiC掺杂MgB_2带的制备及超导性能
机译:悬浮纺丝法制备的In,Zr和纳米SiC掺杂的MgB MgB2丝超导体的微观结构
机译:掺杂不足的高温超导体纳米线的制备和电子传输性能。
机译:氧化铝-CNT / SiC纳米复合材料的制备及性能研究进展
机译:纳米siC掺杂对mgB2 / Fe线材和带材超导临界参数的影响
机译:用于mgB2超导体的等离子体合成掺杂硼纳米粉末。第二阶段sBIR最终科学/技术报告。
机译:具有碳纳米被覆层的基础粉末的制造方法,使用该纳米粉末的MgB2超导体的制造方法,MgB2超导体,锂离子电池用正极材料的制造方法,锂离子电池以及光催化剂的制造方法
机译:薄膜型MGB2超导长线的制造方法及使用该方法的薄膜型MGB2超导长线的制造装置及使用该方法制备的薄膜型MGB2超导长线的制造装置
机译:具有碳纳米涂层的基材粉末的制造方法,使用该方法的MgB2超导体的制造方法,MgB2超导体,锂离子电池用正极材料的制造方法,锂离子电池以及光催化剂的制造方法
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