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肖彤; 乔坚栗; 陈健; 杨建红;
兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所;
兰州730000;
P—N结; 耗尽沟道; 势垒模型; 泊松方程; 解析表达式;
机译:考虑结耗尽区和沟道移动载流子的双栅隧道FET解析模型
机译:具有垂直高斯掺杂分布的短沟道薄型全耗尽绝缘体上硅MOSFET的电势和阈值电压的解析模型
机译:具有增强的势垒高度栅极的N沟道耗尽型InP FET
机译:具有垂直p-n结的载流子耗尽型应变SiGe光调制器的仿真
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:在p型CdTe薄膜上无催化剂和无模板的n型CdS纳米线的低温原位生长和p-n异质结性能
机译:铁电体诱导石墨烯沟道中p-N结的动力学 域名动议
机译:通过受主注入到n型衬底中,在6H-siC中形成p-N结
机译:具有通用门控和沟道区域的互补增强和耗尽型MOSFET,耗尽型MOSFET也为JFET
机译:绝缘体mosfet上的背化完全耗尽硅的P-N结不良
机译:绝缘体MOSFET上的背向完全耗尽硅的P-N结不良
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