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江忠永; 丛宏林; 徐小明; 包琦龙; 张昊翔; 罗军; 赵超;
杭州士兰明芯科技有限公司;
杭州310018;
中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室;
北京100029;
金属有机化学气相沉积; 氮化铝; 预铺铝; 硅衬底; 生长模型;
机译:使用超薄AlN / GaN超晶格中间层通过MOCVD在4英寸Si(110)衬底上生长的高质量GaN膜和AlGaN / GaN HEMT
机译:在AlN / Si(111)衬底上通过MOCVD中的高压生长的InGaN的结构和形貌质量
机译:通过AP-MOCVD在AlN缓冲剂的作用下,Si(111)衬底上ZnO薄膜的生长和性能
机译:通过MOCVD研究TMAl预流对Si(111)上生长的AlN和GaN膜性能的影响
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:通过铝化成核作用在Si衬底上MBN生长AlN纳米线
机译:用Al预播种AlN缓冲液在SiC / Si(111)衬底上生长的GaN薄膜的生长和表征
机译:si衬底上取向pbZrxTi1-xO3薄膜的低温mOCVD生长。
机译:在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法
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