总剂量辐照SiO_2/6H-SiC引起的界面势垒变化

摘要

辐照会引起MOS器件电介质氧化物与半导体界面势垒变化,影响其工作性能和可靠性。测量了n型6H-SiC MOS电容辐照105rad(Si)剂量前后的I-V曲线,通过Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流拟合,得到了界面势垒的大小,辐照前的为2.596 eV,辐照后降为1.492eV。界面势垒变化主要是由辐照产生的界面态引起的。