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任敬川; 刘超; 崔利杰; 曾一平;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;
北京100083;
Ⅱ-Ⅵ族半导体; 外延生长; 掺杂; 薄膜; 综述;
机译:RF磁控溅射生长的F型族族掺杂ZnO薄膜物理性质的研究
机译:通过从头算和薄膜生长实验研究ZrTaN三元合金的电子结构和力学性能
机译:金属有机化学气相沉积法在Ⅲ-Ⅴ族化合物上生长的外延锗薄膜无意掺杂的光致发光和二次离子质谱研究
机译:通过近室温度沉积工艺在混合相纳米晶体薄膜中具有低角度横向生长晶粒的高掺杂和高晶体馏分的新方法,通过近距离沉积工艺进行中性梁辅助CVD
机译:改进IV族光子图:研究外延生长,低温硅和掺杂硅薄膜的材料特性
机译:Eumelanin前体2-羧基-56-二羟基吲哚(DHICA)作为三元(PEDOT:PSS / Eumelanin)薄膜中的掺杂因子以增强电导率
机译:快速生长掺杂SbxTe合金薄膜结晶的原位透射电镜研究
机译:EQCm研究薄膜生长,氧化还原循环和n掺杂和p掺杂聚(噻吩)的电荷俘获。
机译:通过MOCVD工艺制备未掺杂,合金化和掺杂的硫族化物薄膜的方法
机译:通过循环生长/蚀刻沉积工艺在嵌入式半导体合金的选择性生长过程中通过原位掺杂形成的浅pn结
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