暴露(002)晶面的WO_(3)纳米片薄膜的光电催化性能

摘要

采用一步水热法,以钨酸钠(Na2WO_(4)·2H_(2)O)为原料,草酸(H_(2)C2O_(4))为结构导向剂,在FTO衬底上制备了具有高活性(002)面的WO_(3)纳米片薄膜。利用XRD,FESEM对薄膜的物相和形貌进行了分析,通过UV-Vis,PL对薄膜的能带结构和载流子的分离能力进行了表征,通过电化学工作站对WO_(3)薄膜的光电性能进行了研究。分析了草酸用量对WO_(3)纳米片薄膜的晶体取向、形貌尺寸和光电催化性能的影响。结果表明:草酸用量为0.30g时,WO_(3)纳米片薄膜的(002)面衍射峰强度最高,具有良好的光电催化性能。