基于热激光激发OBIRCH技术的失效分析

摘要

针对传统失效定位技术如光辐射显微镜(EMMI)和红外成像等无法对互连失效进行定位的问题,在半导体失效分析中引入了热激光激发(TLS)技术进行失效定位。该技术应用激光束对材料进行加热,改变材料电阻特性,从而检测到缺陷。光束感生电阻变化(OBIRCH)技术即为TLS技术的一种。对技术原理进行了综述,并利用OBIRCH激光扫描显微镜对功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、集成电路静电放电(ESD)保护端口和金属-绝缘体-金属(MIM)电容进行失效定位。结果表明TLS技术对于短路、漏电以及电流路径成像的定位十分有效。特别是难以观察的微小失效如晶体管击穿、铝硅互熔短路和介质层裂纹等。OBIRCH技术对精确和快速地定位多层金属化布线、新型封装的短路和阻性缺陷等方面有着重要的作用。