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钟志亲; 张国俊; 王姝娅; 戴丽萍; 吴鹏飞;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;
PECVD; 氢化非晶硅; 椭偏测量; 沉积速率; 光学常数;
机译:射频磁控溅射技术制备纳米晶硅薄膜的椭偏和拉曼光谱研究
机译:异位光谱椭偏法表征p型微晶硅薄膜的微观结构和光学性质
机译:用X射线反射率,ESCA和光学椭偏法测量硅和非晶氢化碳上全氟聚醚聚合物薄膜的厚度
机译:通过LF-PECVD制备的氢化非晶硅锗薄膜的生物相容性和表面性质
机译:氢化非晶硅,微晶硅和硅基合金薄膜的沉积和表征。
机译:非晶硅薄膜LAPS的制备
机译:激光处理的硅表面以及由脉冲激光沉积产生的非晶硅和SixC薄膜的椭偏研究
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日
机译:椭偏,反射和散射光分析测量的干涉法,包括薄膜结构的表征
机译:椭偏,反射光和散射光的干涉测量,包括薄膜结构的表征
机译:椭偏,反射和散射测量的干涉测量方法,包括薄膜结构的表征
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