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李立; 王小东;
重庆光电技术研究所;
重庆400060;
CCD; 驱动电压; 摆幅; 仿真;
机译:使用单电源的降低电压摆幅电路,以实现基于SRAM的存储器的较低电压操作
机译:在0.3 V工作电压下平均亚阈值摆幅小于60 mV / decade的平面单栅Si隧道FET的仿真
机译:大电压摆幅的大幅滞后现象GaAs基FET的仿真
机译:混合摆幅QuadRail中静态功率驱动的电压缩放和延迟驱动的缓冲器大小,适用于低于1 V的I / O摆幅
机译:用于包络跟踪技术的CMOS宽输出电压摆幅DM调制器。
机译:同时减少亚热离子的纳米线隧道FET负电容和亚阈值摆幅和关断电流电压固定效应
机译:设计研究以改善硅光电环形调制器的SiGe驱动器电路的电压摆幅和带宽
机译:非线性光学材料的先进处理,降低了尾纤成本,减少了光损耗,降低了器件的驱动电压
机译:具有动态和降低电压摆幅的显示栅极驱动器
机译:降低电压摆幅的数字差分驱动器
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