基于90nm CMOS工艺的超宽带分布式混频器设计

摘要

摘要：基于TSMC 90nm CMOS工艺设计了一款18～100GHz的超宽带无源漏极混频器，混频器采用了均匀分布式结构，通过牺牲延迟来获得超宽带带宽。同时，提出了一种栅极电压优化技术，通过优化偏置电压Vcs来最小化CMOS混频器的传输损耗。混频器带宽为18—100GHz，带宽内变频损耗为（4±1）dB，端口隔离度优于15dB，45GHz处1dB压缩点输入功率为4dBm，芯片面积仅为0．36mm^2该混频器在低功耗的环境下具有良好的变频损耗性能，非常适合用在低功耗的通信系统当中。