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周才能; 岳瑞峰; 王燕;
清华大学微电子学研究所;
北京100084;
碳化硅; 门极可关断晶闸管(GTO); 结终端(JTE); 阻断电压; 少子寿命;
机译:可控电流对门极可关断晶闸管中岛数的依赖性模型
机译:9 kV碳化硅PNPN超级栅极关断晶闸管的安全工作区域和长期可靠性
机译:用于阻挡高压的碳化硅分布式缓冲栅极关断晶闸管结构
机译:基于自发射极可关断晶闸管(SPETO)的配电系统断路器
机译:4H碳化硅门关闭晶闸管的设计和制作
机译:使用声发射传感器识别闸门关断晶闸管开关图案
机译:使用SILVACO ALTAS™研究关断期间的关断晶闸管的电热特性
机译:高速功率晶闸管门极辅助关断晶闸管的研制
机译:采用门极可关断晶闸管的强制换向逆变器-每个晶闸管两端都有电容器以抑制危险的关断瞬变
机译:门极可关断晶闸管的过电流保护电路
机译:门极可关断晶闸管和晶体管的互连结构
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