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李茂; 孙岩; 陆海燕; 周浩; 程伟; 戴姜平; 王学鹏; 陈堂胜;
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
南京电子器件研究所;
太赫兹放大器; InP DHBT; 金属堆栈互联;
机译:InP DHBT工艺中的70 GSa / s和51 GHz带宽采样保持放大器
机译:基于0.5μm复合集电极InP DHBT的140 GHz功率放大器
机译:基于0.25- $ mu $ tex> formula> m InP HBT技术的310–340GHz耦合线压控振荡器
机译:采用0.25 µm InP DHBT技术进行增益控制的67 GHz以上带宽2 Vppd线性差分放大器
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:基于250 nm InP / InGaAs / InP DHBT工艺的140-220 GHz成像前端
机译:基于sb的双异质结双极晶体管(DHBT),Fmax> 650 GHz,适用于340 GHz发送器
机译:基于inp收集器ingasassb的DHBT装置及其形成方法
机译:InP集电极InGaAsSb基DHBT器件及其形成方法
机译:Inp收集器Ingaassb基础dhbt装置及其形成方法
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