强背景磁场下分子泵磁屏蔽体的设计与研究

摘要

中国原子能科学研究院目前正在研制一台230 MeV超导回旋加速器,该回旋加速器未来是安装于医院应用于质子治疗,采用了非常紧凑型的超导磁体结构设计。其分子泵所安装位置有非常大的漏磁场,其漏磁场强度达到1000 Gs,是分子泵安全运行阈值(50 Gs)的20倍,导致分子泵不能正常工作。为了解决这个问题,首先进行了分子泵磁屏蔽体的结构设计,以及3D有限元仿真分析计算,然后开展对不同分子泵磁屏蔽体内的磁场进行详细测量,结果表明磁屏蔽体内部的剩磁场均小于50 Gs,且分子泵实际长时间运行过程中监测分子泵运行参数电流、轴承温度、转子温度、加速时间均与无磁场时运行参数一致。