ITO/TiW双层薄膜的制备及其与p-Si接触性能的研究

摘要

利用射频磁控溅射两步法分别在玻璃和p型单晶Si衬底上制备ITO/Ti W双层薄膜。采用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪和X射线衍射仪表征ITO/Ti W双层薄膜的光学性能、电学性能和结晶性能,用吉时利2400表和线性传输线模型测试ITO/Ti W双层薄膜与p-Si接触的I-V曲线以及比接触电阻。结果表明Ti W薄膜厚度为8 nm时,ITO/Ti W双层薄膜的光电性能最优,还发现Ti W薄膜的引入有利于ITO薄膜的晶粒长大。ITO薄膜与p-Si之间插入Ti W层可以改善接触性能,ITO/Ti W(8 nm)与p-Si接触的比接触电阻最低为4.1×10-4Ω·cm2。