首页> 中文期刊> 《真空科学与技术学报》 >离子轰击对HIPIMS制备TiN薄膜结构和性能的影响

离子轰击对HIPIMS制备TiN薄膜结构和性能的影响

         

摘要

采用高功率脉冲磁控溅射技术制备TiN薄膜,通过基架自转与固定的调节方式,研究了离子轰击对所制备TiN薄膜结构和性能的影响。采用台阶仪测量薄膜的厚度,采用场发射扫描电镜、扫描探针显微镜、X射线衍射仪测试薄膜的表面形貌特征以及组织结构,采用纳米压痕仪测试薄膜的硬度以及弹性模量,采用划痕仪测试膜基结合力,采用电化学工作站测量薄膜的耐腐蚀性能。实验结果表明,在基架固定时,由于薄膜受到持续的离子轰击作用,所制备的TiN薄膜具有更致密的结构,更光滑的表面,更好的结晶性,更优异的机械性能和更良好的耐腐蚀性能。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号