低温和高压条件对GaAs／AlAs弱耦合超晶格电场畴形成的影响

摘要

在低温条件下用静水压法研究了掺杂弱耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格材料的电场畴形成及级联共振隧穿过程，对于第一电流类平台区域，我们观察到了两种级联共振隧穿过程。当Ｐ〈０．１６ＧＰａ时高场畴为Г－Г级联共振隧穿过程，而当Ｐ〉０．１６ＧＰａ时，市场畴则为Г－Ｘ级联共振隧穿过程，对温度一电阻的研究过程中发现了Ｒ－Ｔ的曲线变化亦与级联共振隧穿的产生有一定的关联。