CRT偏转线圈结构设计中的磁场测量与控制

摘要

本文在对ＣＲＴ偏转线圈进行实测的基础上，运用南开大学丁守谦教授发明的双线圈加测试原理并将其加以推广，使双线圈测在测量磁场参数Ｈ２、Ｈ４、Ｖ２、Ｖ４时，沿Ｘ轴或Ｙ轴能以任意步长进行测量，并根据偏转线圈的特殊形状，当测头越接近开口部，沿Ｘ轴或Ｙ轴的测点也越多、跨距也越大，这样 就克服了所测数据只适应近轴范围的不足，充分发挥了双线圈回归测试原理适应较远轴范围的特性。