氧化亚铜纳米线的制备及其光电性能

摘要

P型金属氧化物半导体材料如NiO、Cu2O和MoO3等具有优异的电学、磁学以及催化性能，近年来成为相关领域研究的热点。Cu2O是一种典型的P型半导体材料，禁带宽度为2．1eV，在可见光区的吸收系数较高，能量转化率理论上可达10％。此外，通过控制制备工艺可使Cu2O的电阻率在103～1013Ω·cm范围内变化，被认为是制备太阳能电池的潜在材料。