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杨金玉;
陕西西安电子科技大学710000;
半金属场效应开关; 工作密度; 电阻率; 工作温度;
机译:在室温下使用二氧化钒,电性能和晶体结构具有关于干细胞的电压,开关场效应是通过电场效应改变整个固体性质的“相变”的成功
机译:三维Dirac半金属砷化镉的场效应晶体管
机译:场效应驱动的半金属多层石墨烯
机译:半金属CrO_2薄膜的高场效应和能带结构
机译:用于开关应用的高压GaN-on-Si场效应晶体管
机译:电感应二维半金属反铁磁体和自旋场效应晶体管
机译:分子电子开关及其场效应晶体管(FET)器件特性的开发与研究。
机译:III-V型金属氧化物-半金属半导体场效应晶体管(MOSFET)的通道间结
机译:半金属隧道场效应晶体管
机译:具有静电放电(ESD)保护的金属氧化物-半金属半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法,装置和系统
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