2000年7月磁暴期间120°E附近低纬电离层响应

摘要

2000年7月15～16日发生了一次特大地磁暴,其Dst最小值达到-300 nT.利用东亚中坜、武汉、Kokubunji和Anyang等电离层台站的数字测高仪数据,分析了此次磁暴期间120°E附近地磁低纬地区的电离层响应.总体来看,2000年7月16日f_oF₂为负相暴,并出现了G现象;2000年7月17日起为正相暴特征,且持续时间很长.赤道异常2000年7月16日很弱,但7月17日却非常强,且持续到子夜后.低纬电离层出现了夜间增强现象.7月磁暴低纬电离层另一特征是在武汉和Kokubunji两地区间暴变分量日变化存在一个分界,分界南北的日变化等明显不同. 分析认为,7月16日负相暴和G现象很可能由磁暴引起中性成分的改变,特别是[O₂]/[O]和[N₂]/[O]增加导致.热层暴时环流及由此引起的中性成分改变可解释7月16日赤道异常很弱.7月17日的正相暴和非常强的赤道异常,标示着存在很强的喷泉效应但此期间中坜等峰高相对暴前变化不大,可见非常强的赤道异常不是由暴变东西向电场引起.持续正相暴和f_oF₂夜间增强表明与暴相关的动力学、电动力学过程在起作用.