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孙玉鑫; 陈加和; 余学功; 马向阳; 杨德仁;
浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室;
杭州310027;
直拉硅单晶; 杂质工程; 微量掺锗; 缺陷控制; 机械强度;
机译:傅立叶变换红外光谱法测定高浓度掺锗切克劳斯基硅单晶中的锗含量
机译:直拉硅单晶中主要杂质,氧和碳浓度的分布改善
机译:铬和锰掺杂的直拉生长的铋(12)锗氧(20)的光致变色和光折变响应。
机译:超低接触电阻的黑色磷场效应晶体管中的掺锗金属欧姆接触
机译:直拉生长硅单晶的晶体缺陷研究
机译:40-KeV单晶锗的辐射损伤及其替代化学杂质效应研究。 B +,p +,a1 +,as +,和sb +离子轰击
机译:生产掺有挥发性杂质的硅或锗层的方法
机译:含微量杂质的硅单晶的制造方法
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