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YangLin-An ZhangYi-Men YuChun-Li ZhangYu-Ming;
MicroelectronicsInstitute;
XidianUniversity;
Xi'an710071;
China;
SiC; 碳化硅; MESFET; 金属半导体场效应晶体管; 界面状态; 建模;
机译:Transient Simulation of Microwave SiC MESFETs With Improved Trap Models
机译:S-Band Operation of SiC Power MESFET With 20 W (4.4 W/mm) Output Power and 60 PAE
机译:Analytic Model of I-V Characteristics of 4H-SiC MESFETs Based on Multiparameter Mobility Model
机译:4H-SIC POWER MESFET中的电气不稳定抑制
机译:硅(Si)基板上的单向常态垂直碳化硅(3C-SiC)MESFET。
机译:具有重掺杂区域的新型4H-SiC MESFET轻微掺杂的区域和绝缘区域
机译:VJFET技术与MESFET制造的兼容性及其对系统集成的兴趣:为6H和4H-SIC 110 V外侧MESFET制作
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:基于SIC POWER DEVICE的全桥LLC谐振等离子体电源
机译:安全操作区域增加的SIC POWER垂直DMOS
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