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镀膜技术及设备

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O484.1 95031865常压MOCVD法生长的p型ZnSe及其光电特性=Growth and optoelectronic properties of p—type ZnSe by AP—MOCVD[刊,中]/吕有明,杨宝均,张吉英,关郑平,陈连春,孙甲明,申德振,范希武(中科院长春物理所.吉林,长春(130021))

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《中国光学(中英文)》 |1995年第3期|66-68|共3页
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正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
铁电薄膜; 电致变色特性; 金刚石薄膜; 中科院; 光电特性; 制备; 设备; 发光学; 生长; 透射率;

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