光电探测技术及器件

摘要

TN215 96021271 GexSi1-x/Si超晶格红外探测器最佳结构=Optimumstructure of GexSi1-x/Si superlattice infraredderectors[刊,中]/李国正,张浩（西安交通大学电子工程系。陕西,西安（710049））∥半导体光电。—1995,16（3）。—242——244 通过对GexSi1-x超晶格机理的研究,算出了GexSi1-x/si超晶格红外探测器的最佳结构参数,以对1.3μm红外光有最大的利用率。图4参6（任延同）