铟锡氧化物薄膜载体材料在不同介质溶液中的电学稳定性

摘要

背景:在电化学基因芯片中,对载体材料铟锡氧化物薄膜的化学修饰、DNA杂交反应等需要在不同的介质溶液中进行,而各种介质溶液腐蚀会对其性能产生较大的影响,甚至出现性能劣化或失效现象。目的:观察铟锡氧化物薄膜载体材料在NaOH、NaCl、Na2SO4、H2SO4介质溶液中的电学稳定性。方法:针对用于电化学基因芯片载体材料的铟锡氧化物薄膜,利用相对电阻变化(ΔR/R)方法观察了铟锡氧化物薄膜在温度分别为25℃和50℃、浓度为1mol/L的NaOH、NaCl、Na2SO4、H2SO4介质溶液中的电学稳定性。结果与结论:在4种介质溶液中,铟锡氧化物薄膜ΔR/R值显示出了相同的变化规律。随着浸泡时间的延长,薄膜的ΔR/R值持续增大,导电性能下降;而随着介质溶液温度的升高,薄膜电学稳定性显著下降,出现了薄膜电学性能失效现象;在4种介质溶液中,铟锡氧化物薄膜电学稳定性从好到差依次为:NaOH>Na2SO4>NaCl>H2SO4,出现上述现象的主要原因是薄膜在4种介质溶液中的腐蚀机制不同。