首页> 中文期刊> 《中国实用神经疾病杂志 》 >低场MRI在CT阴性脑弥漫性轴索损伤中的应用价值

低场MRI在CT阴性脑弥漫性轴索损伤中的应用价值

             

摘要

目的 探讨低场MRI在CT阴性的脑弥漫性轴索损伤(cerebral diffuse axonal injury,DAI)中的应用价值.方法 回顾性分析20例CT阴性、MRI阳性的DAI临床及影像学资料.所有病例均经临床随访证实.CT使用16层CT常规程序扫描,MRI采用0.35T自旋回波T1WI、快速自旋回波T2WI序列、液体衰减反转恢复序列( FLAIR)、部分使用快速小角度激发序列(FLASH).结果 MRI各序列共检出CT阴性的115个病灶.其中两侧半卵圆区65个,位于胼胝体25个,侧脑室前后角周围白质区11个,基底节区6 个,丘脑4 个,脑干4个.结论 低场MRI是较为敏感的诊断CT阴性的DAI影像学手段.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号