HIT电池缓冲层的关键技术发展概述

摘要

cqvip:HIT电池由日本Sanyo公司于1990年提出,目前已达到23.7%的最高效率。HIT电池制备的关键技术在于其本征缓冲层的工艺。大量研究表明本征硅薄膜缓冲层在硅片上沉积时很容易发生外延生长。对于外延生长影响的认识存在着很大争议,有学者认为其中含有大量缺陷态,会降低电池性能,并提出了完全阻止外延生长的新结构,但也有学者认为恰恰是外延结构真正起到了钝化界面的作用。分析认为,不同甚至相互矛盾的实验结果可能与外延结构生长时缺陷态密度的控制有关,外延结构不是影响电池性能的关键,外延结构中的缺陷态密度才是影响电池性能的重要因素。