不同厚度和退火温度下AZO/ZnO结构的薄膜稳定性

摘要

利用射频磁控溅射法在7059玻璃上生长不同厚度的AZO薄膜,并在不同厚度的薄膜上再利用射频磁控溅射沉积一层55 nm的本征ZnO薄膜.利用退火CdTe电池的退火条件退火各种厚度的薄膜时,所有AZO/ZnO结构的薄膜电阻率均只有微小的变化,表现出比单层结构的AZO薄膜更强的电学稳定性.在干空气气氛中400～550℃退火时,710 nm AZO/50 nm ZnO结构的薄膜仍然具有更好的稳定性,退火后电阻率仍然保持得更好.结果表明在制备CdTe电池时采用AZO/ZnO结构方式的透明电极比AZO更有利于电池的光电性能.