热氧化SiO2工艺在硅太阳电池中的应用及研究

摘要

采用热氧化法在晶体硅基底上生长SiO2薄膜,研究了不同厚度的SiO2氧化层对少子寿命(MCL)、光学吸收及与SiNx体钝化的影响;同时通过理论计算匹配相应的SiO2/SiNx叠层膜,得出SiO2层厚度大约为10 nm,SiNx膜的理论厚度在60～70 nm之间,折射率在2.1 ～2.2之间.研究发现SiO2/SiNx叠层膜工艺比常规SiNx工艺太阳电池的能量转换效率(Eta)提升了0.12％,开路电压(Uoc)提高了2 mV,短路电流(Isc)提高了40 mA.