镓铝砷激光照射鼻腔对认知障碍患者脑功率等的影响

摘要

目的观察低能量镓铝砷半导体激光疗法(LISCL)对认知障碍患者脑功率和事件相关电位P300峰潜伏期(P3PL)的影响。方法应用LISCL对60例认知障碍患者进行治疗，分别于治疗前、治疗5次、10次后采用CFM-8便携式脑电监测仪和神经电检仪检测脑功率和P3PL的变化。结果治疗前脑功率表现为额叶及颞叶脑电慢波成分较多，特别是颞叶底部尤为突出，治疗5次后各相关指标无明显变化，10次后异常的高功率含量区(δ、θ)值逐渐减少，额叶、颞叶底部慢波指数降低，表现为δ＋θ/α＋β减小，而α、β频段减少的功率含量值逐渐增高，表现为δ＋θ/α＋β减小，与治疗前比较差异有非常显著性(P＜0.01)；P3PL治疗前为(341.9±26.0)ms，治疗后分别为(328.3±26.2)ms和(322.6±25.0)ms，与治疗前相比明显降低(t＝2.847，4.106，P＜0.01，0.000 1)。结论镓铝砷半导体激光疗法可以改善认知障碍患者的脑功能和认知功能状态。